Toshiba光耦TLP181GB可用EL357N(B)(TA)-G替換
4SOP貼片光耦EL357N(B)(TA)-G可替換TOSHIBA光耦TLP181BG，EL357N(B)(TA)-G電流轉換倍率為130~260%，而Toshiba的TLP181BG為BG等級，CTR為100~600%，所以，EL357N(B)(TA)-G電流轉換倍率范圍更窄更方便設計使用；貼片光耦EL357N(B)(TA)-G和TLP181BL外型基本相同，TLP181BG尺寸為4.4*3.6*2.5mm，而EL357N(B)(TA)-G外型尺寸為4.4*4.1*2.0mm（本體2.0mm較薄），二者的PCB焊點尺寸&電路設計都一樣，可直接PIN TO PIN替換
光耦EL357N-G使用額定最大范圍
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項目
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符號
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最大范圍
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單位
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輸入端
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順向電流
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IF
|
50
|
mA
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峰值電流（1us脈沖）
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IFP
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1
|
A
|
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反向電壓
|
VR
|
6
|
V
|
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功率消耗/功率降幅
|
Pd
|
70
|
mW
|
|
2.9
|
mW/℃
|
|
輸出端
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功率消耗/功率降幅
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Pc
|
150
|
mW
|
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3.7
|
mW/℃
|
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集電極電流
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Ic
|
50
|
mA
|
|
集電極-發(fā)射極電壓
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Vceo
|
80
|
V
|
|
發(fā)射極-集電極電壓
|
Veco
|
7
|
V
|
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總的功率消耗
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Ptot
|
200
|
mW
|
|
隔離電壓
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Viso
|
3750
|
V
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|
工作溫度
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Topr
|
-55~100
|
℃
|
|
儲存溫度
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Tstg
|
-55~125
|
℃
|
|
焊錫溫度
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Tsol
|
260
|
℃
|
光耦EL357N-G輸入端特性
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項目
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符號
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最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
條件
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|
順向電壓
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VF
|
---
|
1.2
|
1.4
|
V
|
IF=±20mA
|
|
反向電流
|
IR
|
---
|
--
|
10
|
uA
|
VR=4V
|
|
輸入端電容
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Cin
|
---
|
30
|
250
|
pF
|
V = 0, f = 1kHz
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光耦EL357N- VG輸出端特性
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項目
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符號
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
條件
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|
集電極與發(fā)射極暗電流
|
Iceo
|
---
|
---
|
100
|
nA
|
VCE = 20V, IF = 0mA
|
|
集電極-發(fā)射極擊穿電壓
|
BVceo
|
80
|
--
|
---
|
V
|
IC = 0.1mA
|
|
發(fā)射極-集電極擊穿電壓
|
BVeco
|
7
|
---
|
---
|
V
|
IE = 0.01mA
|
光耦EL357N-G基本的轉換特性
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品名型號
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圖標符號
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最小值
|
平均值
|
最大值
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單位
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測試條件
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按CTR分
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EL357N
|
CTR
|
60
|
---
|
600
|
%
|
IF=5mA,Vce=5V
|
|
EL357NA
|
80
|
|
160
|
|
EL357NB
|
130
|
|
260
|
|
EL357NC
|
200
|
|
400
|
|
EL357ND
|
300
|
|
600
|
|
EL357NE
|
100
|
|
200
|
|
EL817NF
|
150
|
---
|
300
|
|
集電極發(fā)射極飽和電壓
|
Vce(sat)
|
---
|
0.1
|
0.2
|
V
|
IF = ±20mA ,IC = 1mA
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|
隔離阻值
|
Rio
|
5×1010
|
1011
|
---
|
Ω
|
VIO = 500Vdc,40~60% R.H.
|
|
浮動電容
|
Cio
|
---
|
0.6
|
1.0
|
pF
|
VIO = 0, f = 1MHz
|
|
上升時間
|
tr
|
---
|
3
|
18
|
us
|
VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100Ω
|
|
下降時間
|
tf
|
---
|
4
|
18
|
us
|
安規(guī)認證通過：UL(No.E214129)；VDE(No.132249)；CSA(No.1408633)；SEMKO(No.716108)；FIMKO(No.FI22807)；NEMKO(No.P06206474)；DEMKO(No.313924)
光耦絲印說明：
EL=Everlight的簡寫
R = CTR Rank (A or none)電流放大倍率，例如B表示CTR為130~260%
Y = Year(生產(chǎn)年份)：2017年用7表示
WW = Week(周期代號)例如第25周用25代號
V = VDE safety (optional).德國的VDE安規(guī)認證